现代化工

现代化工 ›› 2004, Vol. 24 ›› Issue (4) : 0-0.

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多孔氧化铝模板法制备取向碳纳米管阵列的研究进展

居艳李凤仪魏任重张荣斌

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摘要

利用化学气相沉积技术在多孔氧化铝模板上可以制备取向碳纳米管阵列。通过调节阳极氧化参数可以改变模板的孔结构，进而可控制碳纳米管在孔道中生长的形貌。用这种方法制备的碳纳米管的直径、长度和密度可以选择性控制，这将有利于研究碳纳米管的性质和它在电化学及其他领域的应用。介绍了多孔氧化铝模板的形成原理以及碳纳米管在多孔氧化铝模板上的生长机理，讨论了阳极氧化条件、催化剂和气相沉积温度对碳纳米管特性的影响，并指出了这种技术中一些需深入研究的问题。中图分类号：O613.71；TB383；TQ127.11 文献标识码：A 文章编号：0253-4320(2004)04-0027-04