纳米二硫化钼制备现状与发展趋势

胡坤宏 沃恒洲 韩效钊 胡献国

现代化工 ›› 2003, Vol. 23 ›› Issue (8) : 0 -0.

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现代化工 ›› 2003, Vol. 23 ›› Issue (8) : 0-0.
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纳米二硫化钼制备现状与发展趋势

    胡坤宏 沃恒洲 韩效钊 胡献国
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摘要

从还原法、分解法、氧化法、电化学法等方面入手,评述了化学法制备纳米二硫化钼的现状。介绍了用单层MoS2重堆积制备纳米插层化合物(夹层化合物)的方法,包括制备的机理、客体物质的种类及MoS2插层化合物的性能与应用等。简要介绍了二硫化钼的结构、性质与功能以及制备纳米MoS2的物理方法。最后对各种制备方法的优缺点进行了分析与对比,并展望了纳米MoS2的制备技术与方法的发展前景,强调纳米MoS2的制备应是多种方法相结合,朝着制备纳米复合型材料的方向发展的观点。中图分类号:TQ136.12;TB383 文献标识码:A 文章编号:0253-4320(2003)08-0014-04

关键词

纳米二硫化钼 / 纳米材料 / 化学法 / 纳米插层化合物 / 重堆积法

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纳米二硫化钼制备现状与发展趋势[J]. , 2003, 23(8): 0-0 DOI:

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