现代化工

现代化工 ›› 2016, Vol. 36 ›› Issue (4) : 121-124. DOI:

科研与开发

以石墨烯为碳源对SiC纳米颗粒的制备和表征

唐侠侠, 姚宝殿, 郝惠莲

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Received
2015-09-30
Issue Date	Revised Date
2016-04-15	2015-09-30

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摘要

采用石墨烯和Si粉为原材料，利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——SiC纳米颗粒，并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱(Raman)等手段进行分析表征测试。结果表明，在没有催化剂参与的情况下，将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中，并抽真空10-3Pa条件下成功制备了3C-SiC和2H-SiC混合晶型的纳米颗粒。