7 nm高分辨率极紫外光刻胶研究新进展

谭俊玉, 艾照全

现代化工 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (3) : 79 -84.

PDF (2149KB)
现代化工 ›› 2022, Vol. 42 ›› Issue (3) : 79-84. DOI: 10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2022.03.017
技术进展

7 nm高分辨率极紫外光刻胶研究新进展

    谭俊玉, 艾照全
作者信息 +

Latest progress in 7 nm high resolution extreme ultraviolet photoresist

Author information +
文章历史 +
PDF (2200K)

摘要

从化学元素、分子结构、光化学性能等方面,系统综述了7 nm分辨率极紫外光刻胶研究和应用新进展,展望了未来发展的方向、机遇与挑战。

Abstract

Based on chemical elements,molecular structure,and photochemical properties of new photoresist host materials with a resolution of 7 nm or below in the world in recent years,a systematic review is given about the new developments in the research and application of 7 nm extreme ultraviolet photoresist.The prospects for the development direction,opportunities and challenges of 7 nm extreme ultraviolet photoresist are provided.

关键词

光刻胶 / 聚合物 / 分辨率 / 极紫外 / 分子玻璃

Key words

photoresist / polymer / resolution ratio / extreme ultraviolet / molecular glass

Author summay

谭俊玉(1995-),男,硕士生;艾照全(1957-),男,博士,教授,研究方向为高分子材料的制备及应用,通讯联系人,2326978832@qq.com。

引用本文

引用格式 ▾
7 nm高分辨率极紫外光刻胶研究新进展[J]. , 2022, 42(3): 79-84 DOI:10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2022.03.017

登录浏览全文

4963

注册一个新账户 忘记密码

参考文献

AI Summary AI Mindmap
PDF (2149KB)

419

访问

0

被引

导航
相关文章

AI思维导图

/